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电子元器件详细资料 » IC[24777] » MUN5311DW1T2G
型号:MUN5311DW1T2G类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式制造商:ON Semiconductor
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363描述:TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363

详细参数

类别晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363
系列-
制造商ON Semiconductor
晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流_集电极(Ic)111最大222100mA
电压_集电极发射极击穿111最大22250V
电阻器_基极(R1)111欧22210k
电阻器_发射极(R2)111欧22210k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)35 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止111最大222500nA
频率_转换-
功率_最大250mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SOT-363
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
瀚佳科技(深圳)有限公司李0755-23915992/23140719
深圳市展鹏富裕科技有限公司陈丹0755-82573702
聚宽科技(深圳)有限公司党小姐13715365718
济南誉光微电电子科技有限公司王小姐0531-88891493
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